产品介绍:
NF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项，自主研发，是国产首台应用于新一代三维闪存芯片（3D NAND）生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备，拥有 100% 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 SiONF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项，自主研发，是国产首台应用于新一代三维闪存芯片（3D NAND）生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备，拥有 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 SiO2、SiN（ONON）多层薄膜堆叠结构，在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破，设备性能指标达到同类产品国际先进水平，具备产业化能力及市场竞争力。、SiN（ONON）多层薄膜堆叠结构，在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破，设备性能指标达到同类产品国际先进水平，具备产业化能力及市场竞争力。
产品特点：
- 优异的生产成本（CoO）及性能指标
- 可搭载1-3个PM
- 稳定的薄膜性能指标及工艺表现
- 不同种类薄膜沉积的快速切换，高产能化
- 能够满足300-600℃的高温沉积的要求
- 多层喷淋头结构设计，快速气相切换
- 通过S2安全认证和F47标准检验