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| Dry EPD | Wet EPD | Plasma Monitor | |
| 特性 | 1. 200~850nm的宽广波长范围并具有低误差(<±0.7nm)及分辨率(<1.5nm@25um slit),适用大部分制程气体及蚀刻材料 2. 高灵敏CCD sensor(2,048pixels), 开口率(open ratio)~2%之微小讯号可侦测 3. 讯号分辨率高, 薄膜组成分析精确 4. 接收及处理时间快速(>2000specra/7ms), 与实际蚀刻深度几乎相同 5. 软件分析灵活及功能齐全: 全部都是标配, 同时适合生产及RD, 不需增加软件费用 | 1. 透由红外光量测被蚀刻薄膜(金属层)的表面反射率变化 2. 准确而稳定的控制蚀刻时间(不受腐蚀液浓度变化影响) 3. 透由软件(算法)减小喷射腐蚀液或滴液造成的noise 4. 24hr 实时监控process的变化, 并反馈主设备(需设备商提供protocol码) 5. 藉由优化蚀刻时间, 提高产量 | 1. 脉冲式plasma(1Hz~20kHz)状态监控 2. plasma 形状之时序分析 3. plasma arc(电弧)监测 4. 讯号解析率:1us 4. process良率改善 |
| 搭配设备 | Dry Echer(ICP), Asher, PECVD | 湿式蚀刻- 金属电极/ 黄光光罩, 黄光显影槽 | Diffusion, Etcher, PECVD |
